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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
Release Time:2022-11-01
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Publisher:
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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Brief Introduction:
团体标准 T/CASAS 016—2022 起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件起草人：付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、徐瑞鹏。
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Type of Works:
Technical standard
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Discipline:
Engineering
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First-Level Discipline:
Power Engineering and Engineering Thermophysics
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Translated or Not:
No
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Date of Publication:
2022-07
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Electronic Link:
