Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD
发布时间：2020-05-30
点击次数：
- 所属单位：
- 物理学院
- 论文名称：
- Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD
- 发表刊物：
- Materials Research Bulletin
- 第一作者：
- 马瑾
- 论文编号：
- lw-102410
- 卷号：
- 47
- 期号：
- 2
- 页面范围：
- 253
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2012-01
- 发布时间：
- 2020-05-30