论文成果

返回中文主页

Structural and electrical properties of SnO2 films grown on r-cut sapphire at different substrate temperature by MOCVD

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
物理学院
论文名称:
Structural and electrical properties of SnO2 films grown on r-cut sapphire at different substrate temperature by MOCVD
发表刊物:
Vacuum
第一作者:
栾彩娜
全部作者:
马瑾
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-154471
卷号:
99
页面范围:
110
是否译文:
发表时间:
2014-01
发布时间:
2019-04-14