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An Analytical Device Model for Vertical Channel-All-Around InGaZnO Thin-Film Transistors

发布时间：2025-09-29 点击数：

所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：An Analytical Device Model for Vertical Channel-All-Around InGaZnO Thin-Film Transistors

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者：伊光政

论文编号：F377D439812142F399EBADF61FABE629

卷号：72

期号：7

页面范围：3790

字数：3

是否译文：否

发表时间：2025-05

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李元 (副教授)