Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
发布时间：2021-06-02
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
- 发表刊物：
- JOURNAL OF LUMINESCENCE Journal
- 第一作者：
- 时凯居
- 论文编号：
- E69B56299AC14B35A72BF74A6AC8870C
- 卷号：
- 223
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-07
- 发布时间：
- 2021-06-02