Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
发布时间：2019-11-07
点击次数：
- 所属单位：
- 物理学院
- 论文名称：
- Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
- 发表刊物：
- Chinese Physics B
- 第一作者：
- 郑雨军
- 全部作者：
- 冀子武,郑雨军
- 论文编号：
- 09F9610F70DF40B5ADEAEA42C9DEB595
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2015-02
- 发布时间：
- 2019-11-07